Intel pokaże pamięci PRAM
16 kwietnia 2007, 10:10Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF).

IBM pokazał prototyp rewolucyjnego układu pamięci
6 grudnia 2011, 06:00Podczas IEEE International Electron Devices Meeting IBM zaprezentował pamięć typu racetrack. Została ona wykonana za pomocą standardowych metod produkcyjnych.

Bezdech senny pozbawia ludzi szczegółów osobistych wspomnień
1 lutego 2019, 14:00Obturacyjny bezdech senny (ang. obstructive sleep apnea, OSA) sprawia, że pacjentom trudniej zapamiętać szczegóły z życia codziennego. Może się to przyczyniać do depresji.

Początek sprzedaży układów DDR3
27 kwietnia 2007, 10:45Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody.

Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci

Cold-boot attack: szyfrowanie nie chroni
31 lipca 2008, 14:56Naukowcy z Princeton University dowodzą, że szyfrowanie dysków twardych, które jest powszechnie stosowane do zabezpieczania danych, w pewnych warunkach zupełnie ich nie zabezpiecza. Akademicy zaprezentowali nowy typ ataku, który nazwali "cold-boot attack".

Zakażenie wirusem Zika może wpływać na dorosły mózg
19 sierpnia 2016, 10:29Badania na myszach wykazały, że wirus Zika (ZIKV) może zakażać dorosłe mózgi w rejonach z nerwowymi komórkami progenitorowymi, które odgrywają bardzo ważną rolę w uczeniu i pamięci.

Zidentyfikowano komórki, które konsolidując pamięć posiłku, ograniczają przyszłe spożycie
18 stycznia 2019, 12:00Konsolidując pamięć wcześniejszego spożycia, glutaminianergiczne neurony piramidowe brzusznego i grzbietowego hipokampa odgrywają kluczową rolę w hamowaniu jedzenia/poboru energii w okresie poposiłkowym.

Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash

Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.